M1学生が筆頭著者(鈴木がcorresponding author)の論文がJapanese Journal Applied of Physicsにアクセプトされました。
ScAlN薄膜/高音速基板を用いたSAWデバイスのScAlN膜中への中間電極を挿入により結合係数が増幅することを明らかにした理論解析結果に関する論文となります。
M1学生が筆頭著者(鈴木がcorresponding author)の論文がJapanese Journal Applied of Physicsにアクセプトされました。
ScAlN薄膜/高音速基板を用いたSAWデバイスのScAlN膜中への中間電極を挿入により結合係数が増幅することを明らかにした理論解析結果に関する論文となります。